Język selektywny

  1. English
  2. 繁体中文
  3. Беларусь
  4. Български език
  5. polski
  6. فارسی
  7. Dansk
  8. Deutsch
  9. русский
  10. Français
  11. Pilipino
  12. Suomi
  13. საქართველო
  14. 한국의
  15. Hausa
  16. Nederland
  17. Čeština
  18. Hrvatska
  19. lietuvių
  20. românesc
  21. Melayu
  22. Kongeriket
  23. Português
  24. Svenska
  25. Cрпски
  26. ภาษาไทย
  27. Türk dili
  28. Україна
  29. español
  30. עִבְרִית
  31. Magyarország
  32. Italia
  33. Indonesia
  34. Tiếng Việt
  35. हिंदी
(Kliknij pustą przestrzeń, aby zamknąć)
DomProduktyDyskretne produkty półprzewodnikoweTranzystory - tranzystory polowe, tranzystory poloNVMFD5485NLWFT1G
NVMFD5485NLWFT1G

Etykieta i oznakowanie ciała NVMFD5485NLWFT1G można dostarczyć po zamówieniu.

NVMFD5485NLWFT1G

Mega źródło #: MEGA-NVMFD5485NLWFT1G
Producent: AMI Semiconductor/onsemi
Opakowanie: Tape & Reel (TR)
Opis: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Zgodny z RoHS: Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Datasheet:

Nasza certyfikacja

Szybkie RFQ

Na stanie: 59065

Proszę wysłać RFQ, odpowiemy natychmiast.
( * jest obowiązkowy)

Ilość

Opis produktu

Jesteśmy dystrybutorem NVMFD5485NLWFT1G z bardzo konkurencyjną ceną.Sprawdź najnowszy PIRCE NVMFD5485NLWFT1G, zapasy i czas realizacji, używając formularza Quick RFQ.Nasze zaangażowanie w jakość i autentyczność NVMFD5485NLWFT1G jest niezachwiane i wdrożyliśmy rygorystyczne procesy kontroli i dostarczania jakości, aby zapewnić integralność NVMFD5485NLWFT1G.Możesz także znaleźć arkusz danych NVMFD5485NLWFT1G tutaj.

Specyfikacje

Standardowe komponenty obwodu zintegrowanego opakowania NVMFD5485NLWFT1G

VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Dostawca urządzeń Pakiet 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Seria -
RDS (Max) @ ID, Vgs 44 mOhm @ 15A, 10V
Moc - Max 2.9W
Opakowania Tape & Reel (TR)
Package / Case 8-PowerTDFN
temperatura robocza -55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta 50 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 560pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs 20nC @ 10V
Rodzaj FET 2 N-Channel (Dual)
Cecha FET Logic Level Gate
Spust do źródła napięcia (Vdss) 60V
szczegółowy opis Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 2.9W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C 5.3A

NVMFD5485NLWFT1G FAQ

FCzy nasze produkty dobrej jakości?Czy istnieje zapewnienie jakości?
QNasze produkty poprzez ścisłe badania przesiewowe, aby upewnić się, że użytkownicy kupują oryginalne, pewne produkty, jeśli występują problemy z jakością, mogą zostać zwrócone w dowolnym momencie!
FCzy firmy MEGA SOURCE są niezawodne?
QZostaliśmy założeni od ponad 20 lat, koncentrując się na branży elektronicznej i staramy się zapewnić użytkownikom najlepszą jakość produktów IC
FCo powiesz na usługę po sprzedaży?
QPonad 100 profesjonalnych zespołów obsługi klienta, 7*24 godziny na odpowiedź na wszelkiego rodzaju pytania
FCzy to agent?Czy pośrednik?
QMEGA SOURCE jest agentem źródłowym, wycinając pośrednik, obniżając cenę produktu w największym stopniu

20

Wiedza branżowa

100

Zamówienie sprawdzonej jakości

2000

Klienci

15 000

Magazyn w magazynie
MegaSource Co., LTD.