Język selektywny

  1. English
  2. 繁体中文
  3. Беларусь
  4. Български език
  5. polski
  6. فارسی
  7. Dansk
  8. Deutsch
  9. русский
  10. Français
  11. Pilipino
  12. Suomi
  13. საქართველო
  14. 한국의
  15. Hausa
  16. Nederland
  17. Čeština
  18. Hrvatska
  19. lietuvių
  20. românesc
  21. Melayu
  22. Kongeriket
  23. Português
  24. Svenska
  25. Cрпски
  26. ภาษาไทย
  27. Türk dili
  28. Україна
  29. español
  30. עִבְרִית
  31. Magyarország
  32. Italia
  33. Indonesia
  34. Tiếng Việt
  35. हिंदी
(Kliknij pustą przestrzeń, aby zamknąć)
DomProduktyDyskretne produkty półprzewodnikoweTranzystory - tranzystory polowe, tranzystory poloTSM10N80CZ C0G
TSM10N80CZ C0G

Etykieta i oznakowanie ciała TSM10N80CZ C0G można dostarczyć po zamówieniu.

TSM10N80CZ C0G

Mega źródło #: MEGA-TSM10N80CZ C0G
Producent: Taiwan Semiconductor
Opakowanie: Tube
Opis: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Zgodny z RoHS: Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Datasheet:

Nasza certyfikacja

Szybkie RFQ

Na stanie: 988

Proszę wysłać RFQ, odpowiemy natychmiast.
( * jest obowiązkowy)

Ilość

Opis produktu

Jesteśmy dystrybutorem TSM10N80CZ C0G z bardzo konkurencyjną ceną.Sprawdź najnowszy PIRCE TSM10N80CZ C0G, zapasy i czas realizacji, używając formularza Quick RFQ.Nasze zaangażowanie w jakość i autentyczność TSM10N80CZ C0G jest niezachwiane i wdrożyliśmy rygorystyczne procesy kontroli i dostarczania jakości, aby zapewnić integralność TSM10N80CZ C0G.Możesz także znaleźć arkusz danych TSM10N80CZ C0G tutaj.

Specyfikacje

Standardowe komponenty obwodu zintegrowanego opakowania TSM10N80CZ C0G

VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (maks.) ±30V
Technologia MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet TO-220
Seria -
RDS (Max) @ ID, Vgs 1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
Strata mocy (max) 48W (Tc)
Opakowania Tube
Package / Case TO-220-3
Inne nazwy TSM10N80CZ C0G-ND
TSM10N80CZC0G
temperatura robocza -55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta 24 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 2336pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs 53nC @ 10V
Rodzaj FET N-Channel
Cecha FET -
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss) 800V
szczegółowy opis N-Channel 800V 9.5A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C 9.5A (Tc)

TSM10N80CZ C0G FAQ

FCzy nasze produkty dobrej jakości?Czy istnieje zapewnienie jakości?
QNasze produkty poprzez ścisłe badania przesiewowe, aby upewnić się, że użytkownicy kupują oryginalne, pewne produkty, jeśli występują problemy z jakością, mogą zostać zwrócone w dowolnym momencie!
FCzy firmy MEGA SOURCE są niezawodne?
QZostaliśmy założeni od ponad 20 lat, koncentrując się na branży elektronicznej i staramy się zapewnić użytkownikom najlepszą jakość produktów IC
FCo powiesz na usługę po sprzedaży?
QPonad 100 profesjonalnych zespołów obsługi klienta, 7*24 godziny na odpowiedź na wszelkiego rodzaju pytania
FCzy to agent?Czy pośrednik?
QMEGA SOURCE jest agentem źródłowym, wycinając pośrednik, obniżając cenę produktu w największym stopniu

20

Wiedza branżowa

100

Zamówienie sprawdzonej jakości

2000

Klienci

15 000

Magazyn w magazynie
MegaSource Co., LTD.