Język selektywny

  1. English
  2. 繁体中文
  3. Беларусь
  4. Български език
  5. polski
  6. فارسی
  7. Dansk
  8. Deutsch
  9. русский
  10. Français
  11. Pilipino
  12. Suomi
  13. საქართველო
  14. 한국의
  15. Hausa
  16. Nederland
  17. Čeština
  18. Hrvatska
  19. lietuvių
  20. românesc
  21. Melayu
  22. Kongeriket
  23. Português
  24. Svenska
  25. Cрпски
  26. ภาษาไทย
  27. Türk dili
  28. Україна
  29. español
  30. עִבְרִית
  31. Magyarország
  32. Italia
  33. Indonesia
  34. Tiếng Việt
  35. हिंदी
(Kliknij pustą przestrzeń, aby zamknąć)
DomProduktyDyskretne produkty półprzewodnikoweTranzystory - tranzystory polowe, tranzystory poloZXMN10A08DN8TC
ZXMN10A08DN8TC

Etykieta i oznakowanie ciała ZXMN10A08DN8TC można dostarczyć po zamówieniu.

ZXMN10A08DN8TC

Mega źródło #: MEGA-ZXMN10A08DN8TC
Producent: Diodes Incorporated
Opakowanie: Tape & Reel (TR)
Opis: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
Zgodny z RoHS: Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Datasheet:

Nasza certyfikacja

Szybkie RFQ

Na stanie: 56795

Proszę wysłać RFQ, odpowiemy natychmiast.
( * jest obowiązkowy)

Ilość

Opis produktu

Jesteśmy dystrybutorem ZXMN10A08DN8TC z bardzo konkurencyjną ceną.Sprawdź najnowszy PIRCE ZXMN10A08DN8TC, zapasy i czas realizacji, używając formularza Quick RFQ.Nasze zaangażowanie w jakość i autentyczność ZXMN10A08DN8TC jest niezachwiane i wdrożyliśmy rygorystyczne procesy kontroli i dostarczania jakości, aby zapewnić integralność ZXMN10A08DN8TC.Możesz także znaleźć arkusz danych ZXMN10A08DN8TC tutaj.

Specyfikacje

Standardowe komponenty obwodu zintegrowanego opakowania ZXMN10A08DN8TC

VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)
Dostawca urządzeń Pakiet 8-SOP
Seria -
RDS (Max) @ ID, Vgs 250 mOhm @ 3.2A, 10V
Moc - Max 1.25W
Opakowania Tape & Reel (TR)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura robocza -55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 405pF @ 50V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Rodzaj FET 2 N-Channel (Dual)
Cecha FET Logic Level Gate
Spust do źródła napięcia (Vdss) 100V
szczegółowy opis Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SOP
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C 1.6A

ZXMN10A08DN8TC FAQ

FCzy nasze produkty dobrej jakości?Czy istnieje zapewnienie jakości?
QNasze produkty poprzez ścisłe badania przesiewowe, aby upewnić się, że użytkownicy kupują oryginalne, pewne produkty, jeśli występują problemy z jakością, mogą zostać zwrócone w dowolnym momencie!
FCzy firmy MEGA SOURCE są niezawodne?
QZostaliśmy założeni od ponad 20 lat, koncentrując się na branży elektronicznej i staramy się zapewnić użytkownikom najlepszą jakość produktów IC
FCo powiesz na usługę po sprzedaży?
QPonad 100 profesjonalnych zespołów obsługi klienta, 7*24 godziny na odpowiedź na wszelkiego rodzaju pytania
FCzy to agent?Czy pośrednik?
QMEGA SOURCE jest agentem źródłowym, wycinając pośrednik, obniżając cenę produktu w największym stopniu

20

Wiedza branżowa

100

Zamówienie sprawdzonej jakości

2000

Klienci

15 000

Magazyn w magazynie
MegaSource Co., LTD.